7月4日，有消息稱三星電子的HBM3E通過了英偉達的測試。三星隨后表示否認，稱這一消息“不屬實”。

股市方面，截至上午9點20分，三星電子股價報84600韓元，較前一交易日上漲3.42%。

據(jù)一家媒體報道，三星電子通過了英偉達HBM3E質量測試（質量驗證），預計很快將辦理手續(xù)，正式開始量產供應HBM。

對此三星電子予以否認，并表示，“公司正在持續(xù)進行HBM3E質量測試，有關主要大客戶通過質量測試的報道并不屬實。”

此前在5月份，三位知情人士表示，由于發(fā)熱和功耗問題，三星電子最新的高帶寬存儲（HBM）芯片未通過英偉達測試，該測試被迫暫停。但在2024臺北國際電腦展上，英偉達CEO黃仁勛表示仍在認證三星公司的HBM內存，否認三星HBM因發(fā)熱和功耗未通過英偉達測試。

市場對HBM的需求不斷飆升。據(jù)市調機構TrendForce估算，三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產能投片，預計到今年底前，HBM將占先進制程比例為35%，其余則用以生產LPDDR5（x）與DDR5產品。（校對/孫樂）